Історія транзистора

Історія транзистора така: перше друковане повідомлення про появу транзистора опубліковано в американській пресі у липні 1948 року. Його винахідники – американці Бардин та Братейн.  Вони пішли шляхом створення так званого точкового транзистора на базі кристалу германію n-типу. Перший обнадійливий результат вони отримали наприкінці 1947 року. Проте прилад поводився нестабільно, його характеристики були непередбачуваними, і тому точковий транзистор не мав практичного застосування.

Джон Бардін, Вільям Шоклі та Волтер Браттейн у Bell Labs (1948)

Ривок відбувся у 1951 році, коли Вільям Шоклі створив свій більш надійний площинний транзистор n-p-n, що складався з трьох шарів германію n, p та n типів загальною площею 1 см. Вже за кілька років винахід американських вчених отримав загальне визнання, і їх відзначили Нобелівською премією.

                                             Застосування транзистора

Транзистор має два основні застосування: у якості підсилювача і у якості перемикача.
Підсилювальні властивості транзистора зв'язані з його здатністю контролювати великий струм між двома електродами за допомогою малого струму між двома іншими електродами. Таким чином малі зміни величини сигналу в одному електричному колі можуть відтворюватися з більшою амплітудою в іншому колі.
Використання транзистора у якості перемикача пов'язане з тим, що приклавши відповідну напругу до одного з його виводів, можна зменшити практично до нуля струм між двома іншими виводами, що називають запиранням транзистора. Цю властивість використовують для побудови логічних вентилів.

В даний час мікропроцесори Intel збираються на тривимірних транзисторах (3d транзистори) ,які називаються Tri-Gate. Ця революційна технологія дозволила істотно поліпшити існуючі характеристики процесорів. Відзначимо, що перехід до 3D-транзисторів при технологічному процесі 22 нм дозволив підвищити продуктивність процесорів на 30% (за оцінками Intel) і знизити енергоспоживання .